Ante las sanciones impuestas por Estados Unidos y sus aliados, Rusia ha intensificado sus esfuerzos para desarrollar su propia industria de semiconductores. El país planea invertir 2.540 millones de dólares hasta 2030 en la creación de máquinas de fotolitografía, con el objetivo de reducir su dependencia de la tecnología extranjera y fabricar chips considerablemente más baratos que los de ASML.
El ambicioso plan ruso
El programa, lanzado en octubre de 2024 por el Ministerio de Industria y Comercio de Rusia, busca la independencia en la fabricación de chips. La meta inicial es producir chips de 28 nm. Si bien la inversión puede parecer modesta en comparación con otras potencias, representa un esfuerzo significativo para la economía rusa.
Tecnología de vanguardia: longitud de onda de 11,2 nm
Rusia ha anunciado la creación de su primer equipo de fotolitografía de ultravioleta extremo (UVE), capaz de producir chips de 350 nm. El avance más significativo radica en el uso de láseres con una longitud de onda de 11,2 nm, a diferencia de los 13,5 nm utilizados por ASML. Según el físico Nikolay Chkhalo, esta tecnología permitirá crear máquinas UVE más económicas y con una resolución un 20% superior.
El camino hacia los 7 nm: un desafío mayúsculo
El plan contempla la fabricación de chips de 130 nm para 2026 y de 7 nm para 2028. Si bien ambicioso, este objetivo presenta desafíos considerables. El cambio de longitud de onda implica la incompatibilidad con el ecosistema de fabricación actual, lo que obligaría a Rusia a desarrollar uno completamente nuevo, un proceso que podría superar los plazos establecidos.
A pesar de los avances, la tarea de desarrollar una industria de semiconductores independiente es compleja y requiere una inversión considerable en investigación, desarrollo e infraestructura. El éxito del plan ruso dependerá de la capacidad de superar los obstáculos tecnológicos y logísticos.
Fuente: Xataka
